Investigadores diseñan una memoria magnética de seis estados

Estas memorias magnéticas, ofrecerían más prestaciones que las actuales memorias electrónicas.

Investigadores diseñan una memoria magnética de seis estados

Un grupo de investigadores diseñan una memoria magnética de seis estados, que aumentaría la densidad de la memoria.

Investigadores de Universidades en Israel y Nueva York, diseñan una memoria de seis estados. Los ordenadores a veces son descritos con “unos y ceros” en una clara referencia a su naturaleza binaria: cada uno almacena elementos de memoria de datos en dos estados. Pero no hay ninguna razón fundamental por la cual deban existir sólo dos. En un nuevo estudio realizado, los investigadores han conseguido desarrollar un elemento magnético que tiene seis estados magnéticos estables, algo que facilita el camino hacia para conseguir desarrollar un elemento de memoria magnética de seis estados.

El investigador, Yevgeniy Telepinsky de la Universidad Bar-Ilan (Israel) y la Universidad de Nueva York (EE.UU.), ha publicado un artículo sobre la nueva estructura magnética en un número reciente de la revista Applied Physics Letters. Esta no es la primera vez que los investigadores han sido capaces de diseñar células de memoria con más de dos estados. El nuevo elemento de memoria de seis estados que se presenta aquí, es diferente porque es magnético mientras que la memoria flash es electrónica. Aunque las memorias electrónicas son actualmente el tipo de memoria más habitual, diversos tipos de memoria de acceso aleatorio magnético (MRAM) se están investigando con más profundidad, ya que ofrece grandes prestaciones en cuanto a un consumo bajo de energía, rápido funcionamiento y duración larga.

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Investigadores diseñan una memoria magnética de seis estados

La ventaja principal de tener seis estados es que aumentaría la densidad de la memoria, con lo que se evitarían problemas referentes a la miniaturización. En la actualidad, la principal forma de aumentar la densidad de la memoria, es miniaturizar cada elemento de la memoria para que se ajuste en un chip. Sin embargo a escalas reducidas, los elementos de la memoria están situados tan próximos que interfieren con los estados de cada uno. Este nuevo diseño puede evitar este tipo de problema además de ofrecer otro tipo de prestaciones.

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Los investigadores esperan que sea posible diseñar patrones con los estados aún más magnéticos. Por ejemplo, sus simulaciones muestran que un patrón de cuatro elipses de cruce, produciría un elemento de memoria con ocho estados de memoria magnéticos. En palabras del investigador Klein; “Tenemos la intención de aumentar aún más el número de estados magnéticos y explorar los límites de tal extrapolación. Además, nos gustaría avanzar hacia la fabricación de un prototipo que ayudará a convencer a la industria de la memoria magnética, de poder realizar un cambio hacia la memoria magnética de varios niveles.”

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